Выпуск новостей завершён 15 сентября 2026. Материалы сохранены на дату публикации. Перейти к инструкциям →

Архив · Полный материал · iXBT

Samsung и SK hynix почти остались без запасов памяти — хватит на 10 дней

Дефицит усугубляется Согласно анализу южнокорейской инвестиционной компании KB Securities, проведенному сегодня, у Samsung Electronics и SK Hynix осталось запасов памяти на этот квартал всего на 10 дней. Это значит, что двум ведущим компаниям-производителям полупроводниковой памяти будет сложно…

Бизнес · iXBTJin1 минута
Перейти к тексту ↓
Samsung и SK hynix почти остались без запасов памяти — хватит на 10 дней
iXBT
Коротко о главномРазвернутьСвернуть
  1. Согласно анализу южнокорейской инвестиционной компании KB Securities, проведенному сегодня, у Samsung Electronics и SK Hynix осталось запасов памяти на этот квартал всего на 10 дней.
  2. Это значит, что двум ведущим компаниям-производителям полупроводниковой памяти будет сложно увеличить предложение в ответ на внезапный спрос.
  3. Участники отрасли прогнозируют, что к 2027 году глобальные компании, управляющие центрами обработки данных, инвестируют в инфраструктуру искусственного интеллекта 1,3 триллиона долларов, что на 60% больше, чем годом ранее.

Согласно анализу южнокорейской инвестиционной компании KB Securities, проведенному сегодня, у Samsung Electronics и SK Hynix осталось запасов памяти на этот квартал всего на 10 дней.

Это значит, что двум ведущим компаниям-производителям полупроводниковой памяти будет сложно увеличить предложение в ответ на внезапный спрос.

Участники отрасли прогнозируют, что к 2027 году глобальные компании, управляющие центрами обработки данных, инвестируют в инфраструктуру искусственного интеллекта 1,3 триллиона долларов, что на 60% больше, чем годом ранее. Доля полупроводниковых компонентов для хранения данных в этих инвестициях вырастет с 14% в 2025 году до 57% в 2027 году, увеличившись в четыре раза за два года.

Технология HBM4 использует значительно больше кремниевых пластин, чем как универсальная DRAM, так и предыдущая HBM3E. По мере наращивания производства HBM4 общее предложение памяти по емкости будет испытывать давление.

Агентство полагает, что разрыв в предложении между рынками DRAM и NAND к 2027 году достигнет более 10%, что еще больше усугубит дефицит полупроводников для памяти.