Коротко о главномРазвернутьСвернуть
- Китайская CXMT столкнулась с серьезными трудностями при освоении массового производства HBM3 — высокоскоростной памяти, которая используется в ускорителях искусственного интеллекта.
- По данным корейского издания Chosun, первоначальный выход годных восьмислойных чипов составляет всего 25–30%.
- Источники утверждают, что финальную проверку проходят лишь около 70% уже отобранных изделий.
Китайская CXMT столкнулась с серьезными трудностями при освоении массового производства HBM3 — высокоскоростной памяти, которая используется в ускорителях искусственного интеллекта. По данным корейского издания Chosun, первоначальный выход годных восьмислойных чипов составляет всего 25–30%.
Ситуацию усугубляют последующие испытания. Источники утверждают, что финальную проверку проходят лишь около 70% уже отобранных изделий. В результате итоговый выход годной продукции может составлять всего 18–21%: условно из 100 произведенных HBM-чипов 80% — баркованные.
Главные сложности связаны не с производством самих кристаллов DRAM, а с их объединением в многослойную память HBM. В отличие от обычной оперативной памяти, такие чипы состоят из нескольких кристаллов, уложенных друг на друга и соединенных вертикальными проводниками TSV (Through-Silicon Via).
Для создания TSV в кремнии формируются тысячи микроскопических отверстий с вертикальными электрическими соединениями. По данным источника, один HBM-чип CXMT может содержать около 3000 таких соединений, и именно этот этап остается одним из самых проблемных. Поскольку дефект на любом этапе делает непригодным весь стек памяти, производство HBM значительно сложнее традиционной DRAM.
До сих пор CXMT успешно наращивала позиции в сегменте обычной DRAM, чему способствовало перераспределение производственных мощностей крупнейших игроков в пользу HBM. Однако освоить выпуск многослойной памяти оказалось значительно сложнее.
